Intel опередила TSMC на несколько лет в литографии High-NA EUV

Компания TSMC, лидер рынка полупроводников, планирует перейти на литографию High-NA EUV только с 2030 года. На этой неделе компания впервые открыто сообщила о своих планах по внедрению этой технологии, чего ранее избегала. Об этом сообщает IXBT News.

«Компания на этой неделе впервые прямо заговорила о своих планах по переходу на эту технологию, чего ранее избегала», — пишет IXBT News.

TSMC не уточнила, какой именно техпроцесс первым будет использовать High-NA EUV. Согласно дорожной карте компании, которая прописана до 2029 года, в 2029 году TSMC намерена освоить нормы A12/A13. Это позволяет предположить, что в 2030 году может быть применён техпроцесс A11/A10, относящийся к 1-нанометровому уровню.

Intel уже располагает тремя машинами ASML для литографии High-NA EUV, каждая из которых стоит около 400-500 млн евро. Компания уже произвела более 1 млн пластин с использованием этих машин. На текущий момент это превышает объёмы всей остальной отрасли вместе взятой, и фактически массовое производство в больших объёмах ещё никто другой не наладил.

Подписывайтесь на наш Telegram-канал, чтобы быть в курсе всех новостей и событий Рунета.