Intel начала устанавливать оборудование на новом заводе в Аризоне
Компания Intel приступила к монтажу производственного оборудования на строящемся заводе Fab 62 в Аризоне. Это предприятие станет шестой фабрикой на кампусе Ocotillo и, как ожидается, начнёт работу до конца 2028 года. Одновременно Intel подтвердила применение литографического оборудования High-NA EUV в производственных процессах на площадке D1X в Орегоне. Об этом сообщает IXBT News.
По словам исполнительного вице-президента Intel и руководителя производственного направления Наги Чандрасекарана (Naga Chandrasekaran), проект перешёл от возведения зданий к следующему этапу — установке и настройке сложных производственных систем, а затем квалификации технологических процессов.
На Fab 62 уже ведутся строительные работы и монтаж оборудования. Компания пока не раскрыла планируемую производительность Fab 62, стоимость строительства и конкретный техпроцесс, который будет использоваться на предприятии. Среди рассматриваемых вариантов — Intel 18A, 18A-P и Intel 14A, но окончательного решения о выборе технологии для новой фабрики не принято.
На том же кампусе находится Fab 52, для которой уже заявлен техпроцесс Intel 18A. Он сочетает транзисторную архитектуру RibbonFET с системой PowerVia, переносящей подачу питания на обратную сторону кремниевой пластины. Такое разделение силовых и сигнальных соединений позволяет уменьшить ограничения при разводке схемы.
В Орегоне Intel продвигает внедрение литографии High-NA EUV, которая является следующим этапом развития экстремальной ультрафиолетовой литографии. Оборудование уже интегрировано в производственные процессы на площадке D1X и используется, в том числе, для изготовления отдельных компонентов процессоров семейства Panther Lake. Это означает, что технология вышла за пределы лабораторных экспериментов.
Главное отличие High-NA EUV от предыдущих EUV-систем — числовая апертура оптики увеличена с 0,33 до 0,55. Благодаря этому оборудование способно формировать более мелкие структуры с более высоким оптическим разрешением. Однако рабочее поле экспонирования при использовании современной анаморфотной оптики становится меньше. Поэтому некоторые крупные структуры чипов приходится формировать несколькими экспонированиями с последующим совмещением участков, что повышает требования к точности и стабильности производственного процесса.
Экономический эффект от внедрения High-NA EUV пока нельзя считать однозначным. Более высокое разрешение позволяет сократить количество некоторых операций многократного экспонирования, но сами установки сложнее, а их интеграция требует адаптации фотошаблонов, материалов, измерительного оборудования и производственных процессов. Итоговая стоимость изготовления исправного чипа зависит от размеров кристалла, производительности установок и выхода годной продукции.
По прежним заявлениям Intel, на соответствующем оборудовании High-NA EUV уже обработали более 1 млн кремниевых пластин на разных этапах разработки и производства. Однако это число нельзя трактовать как количество полностью изготовленных или готовых к продаже процессоров. Для оценки технологии важны стабильность процессов, плотность дефектов и реальная производительность оборудования.
Параллельно Intel продолжает расширять производство и в других регионах США. На площадке Ohio One в Нью-Олбани установили первый крупный несущий элемент одного из будущих заводских корпусов, однако точную дату начала выпуска чипов там компания пока не называет. В Аризоне и Нью-Мексико Intel также развивает технологии корпусирования EMIB и Foveros, а в Санта-Кларе строит новое предприятие по производству фотошаблонов.
Для Intel Foundry ключевая задача — доказать потенциальным заказчикам, что компания способна выпускать чипы по передовым техпроцессам в больших объёмах, с предсказуемой себестоимостью и приемлемым выходом годной продукции. Начало монтажа оборудования на Fab 62 — заметный этап расширения американских производственных мощностей Intel, но окончательная конфигурация завода, его производительность и сроки выхода на массовый выпуск пока не определены.
Подписывайтесь на наш Telegram-канал, чтобы быть в курсе всех новостей и событий Рунета.
