Чипы HBM4E прошли квалификацию Nvidia

Память HBM4E компании Samsung успешно прошла тестирование Nvidia, что позволит корейскому производителю стать поставщиком для этой компании. Речь идёт о новейших 12-слойных чипах HBM4E.

В конце сентября эти чипы успешно прошли квалификационные испытания у Nvidia и ряда других крупных игроков рынка.

Память HBM4E у Samsung имеет объём по 48 ГБ на каждый слой стека, Скорость передачи данных достигает 14 Гбит/с на контакт, с возможностью увеличения до 16 Гбит/с. Общая пропускная способность составляет 3,6 ТБ/с, что более чем на 20% выше, чем у HBM4. Особенность HBM4E Samsung заключается в сочетании чипов DRAM шестого поколения 10-нанометрового класса с логическим кристаллом, который производится Samsung Foundry по техпроцессу 4 нм. По этому же техпроцессу компания выпускает обычные SoC Exynos.

Подписывайтесь на наш Telegram-канал, чтобы быть в курсе всех новостей и событий Рунета.