Samsung показала путь к 3D-памяти zHBM

Компания Samsung представила на Hot Chips 2026 трёхэтапный план развития HBM, который завершается архитектурой zHBM. Новая архитектура должна превратить HBM из высокоскоростной памяти рядом с ускорителем в часть самого вычислительного чипа.

«В современных системах стек HBM располагается рядом с GPU или ускорителем и соединяется с ним промежуточной платой», — сообщает IXBT News.

Начиная с HBM4, Samsung использует для базового кристалла 4-нм техпроцесс. Это уменьшает площадь и энергопотребление, а также даёт полноценный логический слой непосредственно под стеком памяти. Следующие поколения должны активнее использовать этот слой: часть операций, которые сейчас выполняет процессор, будет переноситься в логику HBM. Это позволит обрабатывать данные ближе к месту их хранения и сократить их перемещение между памятью и вычислительным блоком.

В конечной конфигурации zHBM компания предлагает отказаться от горизонтального расположения: стек DRAM будет находиться непосредственно над вычислительным кристаллом, формируя единую трёхмерную структуру. Такой подход может решить одну из главных проблем современных ИИ-ускорителей — снизить затраты на передачу данных. Однако перенос DRAM непосредственно на процессор создаёт другую проблему: память окажется над чрезвычайно горячим кристаллом, способным выделять сотни ватт.

Пока zHBM остаётся концепцией без объявленных сроков коммерческого запуска. Технология рассчитана на ИИ и HPC-ускорители.

Подписывайтесь на наш Telegram-канал, чтобы быть в курсе всех новостей и событий Рунета.