Intel рассматривает возможность возвращения на рынок компьютерной памяти, который компания покинула в 1985 году. Нынешний генеральный директор Лип-Бу Тан видит перспективы в этом направлении. У Intel уже есть наработки, включая проект по созданию архитектуры памяти XBM.

«Генеральный директор Intel Лип-Бу Тан (Lip-Bu Tan) намекнул на возможное возвращение компании на рынок памяти – развитие технологий искусственного интеллекта поспособствовало ее превращению в стратегический ресурс», — пишет Trendforce.

Ранее Тан воздерживался от инвестиций в проекты по производству памяти, считая её товаром с низкой прибылью. Теперь, по его мнению, отрасль созрела для инноваций благодаря новым технологиям. Разработка новых архитектур памяти является приоритетным направлением для гендиректора Intel. В июне 2026 года Ли Сок-хи, бывший исполнительный директор SK Hynix, был назначен руководителем подразделения передовых технологий упаковки Intel Foundry.

Тан не раскрыл конкретные планы по возобновлению производства, но отметил целесообразность размещения оперативной памяти непосредственно на процессоре. Это может указывать на направление работы инженеров Intel. Intel продала свой бизнес по производству микросхем флеш-памяти NAND в 2021 году южнокорейской Sk hynix, которая запустила компанию Solidigm на базе этих активов. С рынка DRAM Intel ушла в 1985 году, сосредоточившись на процессорах.

В июле 2026 года Intel подала патентную заявку на новую архитектуру высокопроизводительной памяти XBM (Cross-Batch Memory). Технология XBM предполагает отказ от кремниевого интерпозера, который используется для соединения процессора и традиционной памяти высокой пропускной способности (HBM). Инженеры Intel намерены заменить интерпозер межсоединением, соответствующим стандарту UCIe. UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express) — открытый стандарт, определяющий технологию соединения нескольких чиплетов, представленный в 2022 году консорциумом, куда входят AMD, Arm, Intel, Samsung и TSMC.

По данным Trendforce, технология XBM, несмотря на стадию патентования, уже привлекла внимание полупроводниковой отрасли. Ожидается, что её применение решит проблемы существующих архитектур памяти и растущей стоимости упаковки микросхем, связанных с развитием ИИ-вычислений. Одной из таких проблем является ограничение пропускной способности, которое зависит в том числе от технологии соединения процессора с ОЗУ. Intel планирует коммерциализацию технологии XBM после 2030 года.

Развитие технологии XBM сделает возможной вертикальную компоновку чиплетов оперативной памяти и процессора с размещением соответствующего блока непосредственно на микросхеме CPU или GPU. Такой подход снизит задержки передачи сигнала и повысит общую энергоэффективность устройства. Однако, по данным Trendforce, у этого подхода есть и минусы: повышение тепловыделения, проблемы с отводом тепла и сложности в достижении приемлемого соотношения годной продукции к бракованной.

Аналитики Trendforce считают, что для избежания проблем, с которыми сталкиваются разработчики технологий памяти, Intel следует обеспечить широкую стандартизацию экосистемы, сбалансировать собственное производство с поставками от внешних партнёров и продемонстрировать клиентам коммерческие преимущества своей технологии перед существующими решениями.

Спрогнозировать, приведёт ли интерес Intel к технологиям памяти к повторному выходу на рынок, затруднительно. Для этого необходимы значительные средства, конкурентоспособные технологии производства и существенное количество времени. Издание ZDNet отмечает, что слова Тана не следует трактовать как сигнал о возвращении на рынок DRAM, а скорее как признак растущей заинтересованности компании в развитии новых технологий памяти. Business Post отмечает, что Intel будет сложно занять заметную долю в сегменте ИИ-ускорителей, где доминирует Nvidia с её экосистемой на базе HBM.

Подписывайтесь на наш Telegram-канал, чтобы быть в курсе всех новостей и событий Рунета.