Компания Samsung представила несколько новых разработок в области памяти и накопителей на выставке FMS 2026. Среди них — флеш-память BV-NAND V10 и решение zHBM для искусственного интеллекта. Об этом сообщает Ferra.

«В центре внимания была флеш-память BV-NAND V10, первая в мире память с более чем 400 слоями ячеек, упакованных с помощью специальной технологии», — сообщает Ferra.

Плотность хранения BV-NAND V10 выросла на 58% по сравнению с предыдущей версией. Решение zHBM для ИИ устанавливается непосредственно поверх ускорителей ИИ, что сокращает путь данных. Это обеспечивает восьмикратное увеличение скорости работы и десятикратное увеличение плотности по сравнению со стандартной HBM5, при этом потребление энергии снижается втрое.

Также была представлена флеш-память zNAND-O, предназначенная для устройств, работающих на «переднем крае» ИИ, таких как смартфоны и умные камеры. Ещё одной новинкой стала оперативная память LPDDR5X-PIM, способная обрабатывать часть данных внутри себя, не нагружая процессор.

Подписывайтесь на наш Telegram-канал, чтобы быть в курсе всех новостей и событий Рунета.