Samsung Electronics представила на конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026 несколько разработок для систем искусственного интеллекта. Среди них — концепция памяти zHBM, прототип V10 Bonding V-NAND с более чем 400 слоями и обновлённая дорожная карта памяти для ИИ-серверов. Об этом сообщает IXBT News.

«По оценке Samsung, такая компоновка позволит сократить путь передачи данных и в перспективе обеспечит примерно 8-кратный прирост производительности по сравнению с HBM5, более чем 10-кратное увеличение плотности памяти, 3-кратный рост энергоэффективности и снижение теплового сопротивления более чем на 50%», — сообщает IXBT News.

Наиболее заметной новинкой стала архитектура zHBM, которая размещает высокоскоростную память непосредственно над ИИ-ускорителем. Компания подчёркивает, что это расчётные показатели концепции, а не результаты испытаний готовых устройств.

Ещё одной новинкой стал прототип V10 Bonding V-NAND с более чем 400 слоями. Технология использует схему Bonding Vertical (BV), при которой массив ячеек памяти и управляющие схемы изготавливаются отдельно, а затем соединяются в единую структуру. По данным Samsung, это увеличивает плотность хранения примерно на 58% по сравнению с V9 V-NAND, одновременно повышая скорость чтения, записи и обмена данными.

Компания также показала концепцию zNAND-O для периферийных ИИ-систем, а также HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM и корпоративные SSD PM1763 и BM1773.

При этом Samsung не раскрыла сроки коммерческого выпуска новых технологий, стоимость, совместимость с ИИ-ускорителями и результаты независимых испытаний, поэтому пока речь идёт о демонстрации перспективных разработок и прототипов, а не готовых серийных продуктах.

Подписывайтесь на наш Telegram-канал, чтобы быть в курсе всех новостей и событий Рунета.