Американская компания Micron Technology инвестирует около $9,2 млрд в расширение производства высокоскоростной памяти (HBM) на своем заводе в Хиросиме. Первые поставки запланированы на вторую половину 2028 года. Об этом сообщает iXBT.

Проект направлен на выпуск памяти нового поколения HBM, которая используется в ускорителях искусственного интеллекта и высокопроизводительных графических процессорах. Министерство экономики, торговли и промышленности Японии рассматривает возможность выделения субсидии в размере около $3,1 млрд для поддержки проекта в рамках стратегии по укреплению национальной полупроводниковой базы.

Комплекс в Хиросиме уже является одним из ключевых узлов Micron по производству памяти DRAM. Ранее компания модернизировала его с внедрением EUV-литографии для перехода на более продвинутый технологический узел.

Рынок HBM-памяти остается одним из самых конкурентных в полупроводниковой индустрии. Лидирующие позиции на нем занимают SK hynix, поставляющая память для AI-ускорителей Nvidia, и Samsung Electronics, которая также активно наращивает производство.

Подписывайтесь на наш Telegram-канал, чтобы быть в курсе всех новостей и событий Рунета.