Новый процессор Huawei Kirin 9030, производимый по технологии SMIC N+3, превзошел аналоги от Intel по плотности транзисторов. Плотность транзисторов у китайского чипа оказалась примерно на 10% выше. Об этом сообщает издание Ferra.ru.

Превосходство достигается за счет меньшего «шага металлизации» — расстояния между токопроводящими дорожками в чипе. У технологии SMIC N+3, на которой основан Kirin 9030, этот показатель составляет 32,5 нанометра, в то время как у конкурирующего процесса Intel 18A он равен 36 нанометрам. Меньшее расстояние позволяет разместить больше транзисторов на той же площади.

В то же время, по данным экспертов из SemiAnalysis, технология SMIC N+3 уступает Intel в сложности производства, энергоэффективности и контроле процессов. По их оценке, она соответствует уровню тайваньской TSMC N6 (6 нм).

Подписывайтесь на наш Telegram-канал, чтобы быть в курсе всех новостей и событий Рунета.