IBM и Samsung Electronics объявили о прорыве в индустрии полупроводниковых микросхем. Компании создали технологию «вертикальных транспортных полевых транзисторов» (VTFET), которая позволяет удваивать производительность микросхем и снизить их энергопотребление на 85%, сообщает Engadget.

Если в современных моделях транзисторы лежат на поверхности кремния, рядом друг с другом, а электрический ток течет из стороны в сторону, то разработка IBM и Samsung представляет собой конструкцию чипов, где часть компонентов установлены перпендикулярно друг к другу, а ток течет вертикально.
Разработчики сумели обойти закон Мура, согласно которому количество транзисторов в микросхемах удваивается каждые два года, быстро приближается к тому, что считается непреодолимым препятствие.

Технология позволит создать смартфоны, работающие неделю без подзарядки, и сделает процесс добычи криптовалюты более энергоэффективным и менее вредным для окружающей среды, рассказали в IBM.

Помимо Samsung и IBM, над аналогичными микросхемами также работает компания Intel. В недавнем исследовании аналитики Intel заявили, что ИТ- гиганты в ближайшем будущем начнут переходить на трехмерные чипы.
Сроки коммерциализации технологии VTFET не установлены.

Рост спроса на высокопроизводительные компьютеры в пандемию спровоцировал дефицит чипов в производстве техники, автомобильной промышленности и других отраслях по всему миру весной 2021 года.

Подписывайтесь на наш Telegram-канал, чтобы быть в курсе всех новостей и событий Рунета.